碳化硅(SiC)具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應(yīng)用。
相比傳統(tǒng)Si材料，SiC材料能夠滿足新能源汽車對(duì)設(shè)計(jì)緊湊、高功率密度、耐高壓/高溫、延長(zhǎng)續(xù)航里程和縮短充電時(shí)間等方面的需求，被應(yīng)用至汽車主驅(qū)逆變器、OBC、DC-DC等組件中，其中主驅(qū)逆變器是SiC核心價(jià)值所在。
據(jù)《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場(chǎng)報(bào)告》顯示，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，2022年車用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4 億美元。
我國(guó)坐擁全球最大電動(dòng)汽車市場(chǎng)，目前上汽、廣汽等車企已著手布局SiC全產(chǎn)業(yè)鏈，這給本土供應(yīng)商創(chuàng)造了極大的發(fā)展機(jī)會(huì)。與此同時(shí)，諸如比亞迪、Hyundai（現(xiàn)代汽車）等車企已紛紛啟動(dòng)芯片自研計(jì)劃，亦給市場(chǎng)注入了新的活力。
隨著新能源車滲透率不斷提高，SiC將大規(guī)模上車應(yīng)用，特別是在800V高壓平臺(tái)中。相較于Si-based IGBT，SiC功率模塊在800V高壓系統(tǒng)中的優(yōu)勢(shì)將會(huì)進(jìn)一步放大，未來或?qū)⒊蔀?00V汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)中的標(biāo)配功率半導(dǎo)體元件。
